igbt,igbt和sic的区别

IGBT用途

中压IGBT一般电压在1200-2500V，适用于新能源汽车、风力发电等领域，由于碳中和计划的持续推行以及新能源领域的高速发展，该领域是中国IGBT本土厂商未来主要发力的领域。

用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。电联车或电动车辆之马达驱动器、变频冷气、变频冰箱，甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。

较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

IGBT全称是：绝缘栅双极型场效应晶体管，它是一种场效应管。它具有驱动简单，输入阻抗高，速度快等特点。

IGBT叫绝缘栅双极晶体管。IGBT可以简单理解成一种高性能的开关管，在很多需要变流的场所使用，比如变频器，电源电路等，一般电机控制环境使用比较多，讲白了，就是一个可以快速开启和断开电压电流的电子开关。

日光灯镇流器也是如此。这些只是一个缩影和先兆。引进IGBT的人才非常重要，IGBT只是电力级别晶体管（电力半导体）的一个代表，还有MOSFET，GTO，IGCT。未来的直流输变电，交流输变电，电解铝等设施可能不再需要变压器。

igbt什么意思?

1、igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor。igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。

2、igbt是绝缘栅双极型晶体管电子元件；igbt是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管构成的复合全控型电压推动式功率半导体器件，而且兼具高输入阻抗和低通断压降两个方面优势，igbt模块具备节能、安装维修便捷、排热平稳等优点。

3、IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。

什么是IGBT?

1、IGBT，全称Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名称为绝缘栅双极晶体管，是一种重要的功率半导体器件。IGBT结合了双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性，允许它在高电压和高电流环境下进行电流控制。

2、IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

3、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），又称为绝缘闸极双极性电晶体。