三星d9120,三星第五代折叠屏

场效应管lrfbc40的参数

1、场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545（2SK3562），IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。

2、N60C参数是8A，600V。代换可用SSS7N60B、T2SK254IRFBC40、STP8NK60ZFP、8N6O 8A600V、10N60、8N80、10N60、11N60都可以。

3、IRFU0IRFPG4IRFPF40、IRFP9240、IRFP9140、IRFP240。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET）简称场效应管。

求P型MOS管型号

1、SJ76，－140V，－500mA 。2SJ77，－160V，－500mA 。2SJ146，－50V，－100mA 。2SJ146，－60V，－200mA 。2SJ167，2SJ168，－60V，－200mA 。2SJ209，－100V，－100mA 。

2、海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。

3、P65NF06可以达到60Vx60A=3600W的驱动，可以满足48V350W的要求。要做成48V 350W的控制器，MOS管需要满足两个条件：分别是电压和功率（或电流）。

4、举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，如下图图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中可以了解场效应管做开关电路的接法。

5、不过现实中，耗尽型的类型很少，而P沟道也比较少，最多的就是N沟道增强型MOSFET，也就是增强型N-MOSFET。

IRFD9120能用三极管替换吗

厂效应管，4A，600V，可以用SO813 （FQPF）6N60替换。

一般情况下不可以。你要弄情况，损坏的三极管是什么样的作用，如果是振荡用的话，大的三极管可能不符合要求，因为一般大功率器件的特征频率都不会很高。另外还有其他参数限制，例如放大倍数，反向击穿电压等。

①、向三极管直接替换场效应管吗，建议最好别用三极管替换场效应管，原因是两管性质不一样的，所以不行。

通常三极管 外壳上没有 参数，只有型号。模糊不清了也不要紧，你已经从另一个好 电路板上知道了它的型号，就可以了。

晶体三极管的代换，可以用性能好的代换性能差的，用参数高的代换参数低的，可用开关管代换普通管：在保证PCM不低于原管的前提下，可用高频管代换低频管，用复合管代换单只管。